在高壓下測(cè)驗(yàn)電纜有助于確認(rèn)是否存在濕氣、助焊劑或或許現(xiàn)已滲透到絕緣體或連接器后殼破損處的污染物，并保證電線之間的絕緣體能夠接受高于正常作業(yè)電壓的暫時(shí)電壓偏移，而不會(huì)分化。高壓測(cè)驗(yàn)的成果一般顯現(xiàn)電線之間的絕緣電阻在數(shù)百兆歐或更高。要求 5 吉?dú)W絕緣電阻的測(cè)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)并不罕見。

許多高可靠性電纜包括環(huán)繞一切導(dǎo)體的織造屏蔽層。屏蔽層防止外部電攪擾耦合到內(nèi)部導(dǎo)體上的信號(hào)，并阻撓或許由內(nèi)部導(dǎo)體上的正常信號(hào)產(chǎn)生的電噪聲輻射到環(huán)境中。但是，屏蔽電纜使高壓測(cè)驗(yàn)復(fù)雜化，由于屏蔽相關(guān)于內(nèi)部導(dǎo)體的電容大大添加。由于與電線比較，屏蔽層的表面積大得多，因而屏蔽層和導(dǎo)體之間的電容成份額添加。電容會(huì)跟著電纜長(zhǎng)度的添加而進(jìn)一步添加。

圖1：帶屏蔽的 5 芯電纜的橫截面視圖

跟著電容的添加，帶電屏蔽層存儲(chǔ)的能量也會(huì)添加到或許對(duì)操作員形成損害的水平，而且假如產(chǎn)生絕緣擊穿，或許會(huì)因電弧加熱而損壞電纜的絕緣層。請(qǐng)注意，存儲(chǔ)在電容器中的能量直接隨電容和電壓的平方而添加：E = ½ CV 2。

許多測(cè)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求屏蔽層作為附加導(dǎo)體參加高壓測(cè)驗(yàn)。下面的句子來自一個(gè)典型的標(biāo)準(zhǔn)：在屏蔽層和導(dǎo)體之間施加 500 Vdc的測(cè)驗(yàn)電位時(shí)，組件應(yīng)表現(xiàn)出不小于500 MΩ 的絕緣電阻。

主動(dòng)高壓測(cè)驗(yàn)設(shè)備將向一根導(dǎo)體施加直流電壓，而一切其他導(dǎo)體堅(jiān)持零伏。一般，關(guān)于每根電線，電壓會(huì)逐步升高，堅(jiān)持“駐留時(shí)刻”，并在對(duì)該電線的測(cè)驗(yàn)完結(jié)后逐步下降。對(duì)電纜中的每個(gè)導(dǎo)體重復(fù)此進(jìn)程，例如，五芯電纜，上升-暫停-下降循環(huán)將重復(fù)五次，每次都在接連的電線上。經(jīng)過這個(gè)進(jìn)程，一根電線的絕緣實(shí)際上被測(cè)驗(yàn)了兩次，一次是當(dāng)電線自身接納到高電壓（+ 到 - 電線絕緣層的極性）時(shí)，另一次是當(dāng)同一根電線堅(jiān)持零伏而另一根電線稍后接納電壓時(shí)測(cè)驗(yàn)（– 到榜首根電線上的 + 極性）。

當(dāng)在測(cè)驗(yàn)中包括屏蔽層時(shí)，它僅僅電纜中的另一根“電線”，并遵從相同的進(jìn)程。在這種情況下，當(dāng)一切其他電線都為零伏時(shí)向屏蔽層施加電壓時(shí)，屏蔽層會(huì)包容更多的電荷比在屏蔽層為零伏的任何一根電線上施加電壓時(shí)。跟著屏蔽層上電荷的添加，屏蔽層中存儲(chǔ)的能量比電線中存儲(chǔ)的能量多得多，而且經(jīng)過絕緣擊穿或人體觸摸引起的無意放電將導(dǎo)致相當(dāng)大的電流活動(dòng)。反過來，這或許會(huì)熔化絕緣層中的針孔，導(dǎo)致電纜損壞和無法運(yùn)用，或許更糟的是，假如放電是由人體觸摸引起的，則會(huì)對(duì)操作員形成危險(xiǎn)的電擊危險(xiǎn)。在到達(dá)測(cè)驗(yàn)電壓之前，即便是在 upramp 上對(duì)屏蔽充電的行為也或許超越測(cè)驗(yàn)儀的跳閘電流（表明擊穿的預(yù)設(shè)電流約束）。

電線絕緣中運(yùn)用的典型聚合物塑料可防止電流在任何方向上與電場(chǎng)矢量相同好地活動(dòng)。那么將看到，在恣意兩根導(dǎo)線之間，不管向?qū)Ь€ A 施加高電壓，一起將導(dǎo)線 B 堅(jiān)持在零伏，仍是相反，絕緣都以相同的漏電阻起作用。由于屏蔽層被視為導(dǎo)體，一般會(huì)在兩個(gè)方向上進(jìn)行測(cè)驗(yàn)，因而能夠經(jīng)過不向屏蔽層施加高壓來防止針孔絕緣損壞和觸電的危險(xiǎn)添加，一起依然向帶屏蔽層的每根電線施加高壓在測(cè)驗(yàn)期間堅(jiān)持在零伏。這樣做絕不會(huì)下降測(cè)驗(yàn)的有效性。

參閱前面給出的測(cè)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，在導(dǎo)體和屏蔽層之間施加 500 Vdc 測(cè)驗(yàn)絕緣，就像在屏蔽層和導(dǎo)體之間施加它相同。因而，經(jīng)過僅在導(dǎo)體和屏蔽層之間進(jìn)行測(cè)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)者消除了與向屏蔽層施加電壓相關(guān)的危險(xiǎn)。

在CAMI Research 制作的CableEye ® 測(cè)驗(yàn)儀中，任何導(dǎo)體都能夠在測(cè)驗(yàn)期間經(jīng)過簡(jiǎn)略地在“HiPot Enable”列中表明來按捺高壓。在此屏幕截圖中，實(shí)驗(yàn)者展現(xiàn)了怎么按捺施加到屏蔽層的高壓：

即便不向屏蔽層施加電壓，屏蔽電纜在高壓測(cè)驗(yàn)時(shí)仍或許會(huì)出現(xiàn)問題，由于跟著電纜長(zhǎng)度的添加，導(dǎo)體自身會(huì)存儲(chǔ)越來越多的電荷。一般，在這種情況下，上升期間的充電電流或許挨近或超越正常跳閘電流。經(jīng)過下降斜坡率來對(duì)此進(jìn)行補(bǔ)償，以便瞬時(shí)充電電流永久不會(huì)到達(dá)跳閘電流。這顯現(xiàn)了它是怎么運(yùn)用CableEye測(cè)驗(yàn)儀完結(jié)的。在此屏幕截圖中，將升壓從 5000 V/s 下降到 1200 V/s：

圖2：操控升溫速率

一些電纜有多組屏蔽線組合成一個(gè)束，例如屏蔽雙絞線，或織形成一根電纜的同軸導(dǎo)體束。當(dāng)內(nèi)部屏蔽組合在一起并施加高壓時(shí)，電容問題變得愈加嚴(yán)峻。此外，陳述的走漏是總和 并聯(lián)屏蔽母線和它們屏蔽的電線之間的一切走漏。這個(gè)總和很或許會(huì)超越答應(yīng)的走漏，并導(dǎo)致計(jì)算出的絕緣電阻太低，然后導(dǎo)致測(cè)驗(yàn)失利，尤其是在有很多屏蔽組合在一起的情況下。均勻走漏當(dāng)然是分組中走漏的總和除以分組中的導(dǎo)體數(shù)量。屏蔽層包括的電線越多，走漏（正常）越大，而且該組的總絕緣電阻越低。

由于上述原因，只要在高壓下測(cè)驗(yàn)其他電線時(shí)屏蔽層堅(jiān)持在零伏，就不需要向屏蔽層導(dǎo)體施加電壓來精確測(cè)驗(yàn)絕緣電阻。當(dāng)一切屏蔽層的高壓都被按捺時(shí)，電纜不會(huì)因不必要的漏電疊加而產(chǎn)生毛病。